安森美半導體現為下一代架構提供的總包解決方案和完整的參考設計，是專為解決復雜的電源設計挑戰而設計的，這些挑戰來自新的工藝技術、更快的時鐘速度和更高的電流要求。當安森美半導體的高度集成電源控制器、最先進的VRM 10.1控制器、高性能門驅動器和針對計算機的MOSFET一起使用時，能提供最新工藝技術所要求的更低電壓電平、更嚴格容差和更高電流要求。



        芯片組和DDR存儲器電源解決方案 


        安森美半導體的新型高集成NCP5210控制器與NTD60N02R MOSFET為下一代計算機芯片組和DDR存儲提供全方位、可刻度的電源解決方案。NCP5210將VDDQ電源和MCH磁心電壓電源的兩個脈寬調制（PWM）降壓轉換器與VTT端頭電壓的2.1安培（A）源-匯線性電源穩壓器相結合。NTD60N02R的低臨界電壓具有低門-驅動電壓的良好傳導特性。 

        CPU電源解決方案


        安森美半導體支持下一代芯片組與處理器的CPU或Vcore主處理器電源解決方案包括VRM 10.X 控制器的NCP5314系列。與NCP5351 或 NCP5355門驅動器以及公司的新型低電壓MOSFETS系列結合使用，該解決方案構成一個高性能、高功效、多相的降壓穩壓器，能滿足制造商的降壓式電壓穩壓器（VRD）10.X電源規范。

        森美半導體應用于CPU電源的MOSFET系列包括NTD60N02R 與 NTD110N02R，分別用于高/低端同步整流配置，可獲得很高電源轉換效率。為此，NTD60N02R具有很低的門控充電，而NTD110N02R具有極低通導電阻。事實上，該低端24伏（V）NTD110N02R在10V電壓下Rds(on)典型值為3.7 mohm--為業界Dpak器件最低的Rds(on)額定值之一，并提供業界最佳的效益指數--170 mohm-mC