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2017年中國(guó)LED 外延芯片行業(yè)概況和行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析
2017/4/16 10:35:15 來(lái)源:中國(guó)產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究網(wǎng) 【字體:大 中 小】【收藏本頁(yè)】【打印】【關(guān)閉】
核心提示:1、LED 外延芯片行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r(1 )國(guó)際 LED 外延芯片行業(yè)發(fā)展?fàn)顩rLED 外延生長(zhǎng)及芯片制造環(huán)節(jié)在 LED 產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)含量高,設(shè)備投資強(qiáng)度大,同時(shí)利潤(rùn)率也相對(duì)較高,是典型的資本、技術(shù)密集型行業(yè),其技術(shù)及發(fā)展水平對(duì)各國(guó) LE1、LED 外延芯片行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
(1 )國(guó)際 LED 外延芯片行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
LED 外延生長(zhǎng)及芯片制造環(huán)節(jié)在 LED 產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)含量高,設(shè)備投資強(qiáng)度大,同時(shí)利潤(rùn)率也相對(duì)較高,是典型的資本、技術(shù)密集型行業(yè),其技術(shù)及發(fā)展水平對(duì)各國(guó) LED 產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)及各公司的市場(chǎng)地位起著決定性影響。近年來(lái),LED 在背光、照明等領(lǐng)域的滲透率不斷提高,受下游需求拉動(dòng)影響,LED 外延芯片需求呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)趨勢(shì)。
(2 )國(guó)內(nèi) LED 外延芯片行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
我國(guó) LED 產(chǎn)業(yè)由封裝起步發(fā)展,初期芯片主要依賴進(jìn)口。近年來(lái),在下游旺盛需求的拉動(dòng)及各地政策的支持下,國(guó)內(nèi)主要 LED 外延芯片企業(yè)加大研發(fā)投入,積極制定擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,外延芯片環(huán)節(jié)的投資力度不斷提升,使得國(guó)內(nèi) LED 外延芯片行業(yè)加速發(fā)展。2014 年我國(guó)芯片國(guó)產(chǎn)化率即已達(dá)到 80%,隨著國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)技術(shù)的快速進(jìn)步,目前芯片已基本實(shí)現(xiàn)全部國(guó)產(chǎn)化,并已有部分行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)開始向國(guó)際市場(chǎng)出口LED 外延片或芯片產(chǎn)品。
2002 年-2014年我國(guó)芯片國(guó)產(chǎn)化率趨勢(shì)

2006 年-2016年中國(guó)外延芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模(億元)

近十年來(lái),我國(guó) LED 外延芯片環(huán)節(jié)與 LED 產(chǎn)業(yè)基本保持了同步增長(zhǎng)趨勢(shì)。但因我國(guó) LED 外延芯片環(huán)節(jié)起步相對(duì)封裝、應(yīng)用等較晚,其增長(zhǎng)率略高于 LED產(chǎn)業(yè)整體增長(zhǎng)幅度, 2006 年到 2016 年期間,LED 外延芯片環(huán)節(jié)產(chǎn)值從 10 億元增長(zhǎng)至 182 億元,年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 33.66%。
2015 年,在我國(guó) LED 行業(yè)整體增速下降情況下,LED 外延芯片環(huán)節(jié)受到了更大沖擊,增長(zhǎng)率僅為 9.42%,與封裝和應(yīng)用環(huán)節(jié)增長(zhǎng)率 18.96%和 21.98%相比,增長(zhǎng)幅度明顯偏低。2015 年,我國(guó) LED 外延片、芯片產(chǎn)量分別較上年增長(zhǎng) 31%和 40%,但芯片價(jià)格下跌約 30%,致使 LED 外延芯片產(chǎn)值增速下降,芯片價(jià)格下跌除行業(yè)整體發(fā)展增速下降因素外,還受該環(huán)節(jié)供需結(jié)構(gòu)調(diào)整影響較大。2009年以后我國(guó)各地政府對(duì)LED產(chǎn)業(yè)扶持中重要政策之一即是對(duì)LED芯片制造企業(yè)采購(gòu) MOCVD 進(jìn)行高額補(bǔ)貼,引致國(guó)內(nèi)資本紛紛涌入 LED 芯片行業(yè),外延片和芯片設(shè)備投資增幅明顯高于中下游封裝和應(yīng)用領(lǐng)域,在 2015 年行業(yè)發(fā)展增速出現(xiàn)大幅調(diào)整時(shí),外延芯片環(huán)節(jié)產(chǎn)能相對(duì)過(guò)剩的效果被放大,導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格下降較快。
由于近幾年國(guó)內(nèi)大部分地方政府均不再對(duì)企業(yè)購(gòu)買 MOCVD 進(jìn)行補(bǔ)貼,在2015 年 LED 芯片價(jià)格大幅下跌后,國(guó)內(nèi) LED 芯片企業(yè)購(gòu)置 MOCVD 的預(yù)期大大降低,2016 年,我國(guó)國(guó)內(nèi)基本沒(méi)有新增 MOCVD 設(shè)備,三安光電終止了 47 臺(tái)德國(guó) AIXTRON 的 MOCVD 設(shè)備采購(gòu)計(jì)劃,另外我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)晶元光電、美國(guó)科銳芯片業(yè)務(wù)也多次減產(chǎn),芯片供給過(guò)剩得到有效緩解。隨著通用照明、顯示屏等下游應(yīng)用端需求繼續(xù)放量,2016 年我國(guó) LED 外延芯片環(huán)節(jié)逐步回暖,產(chǎn)值增長(zhǎng)率達(dá) 20.53%,已基本回升至行業(yè)平均發(fā)展增速。此外,MOCVD 設(shè)備采購(gòu)期和調(diào)試期均在半年左右,在行業(yè)景氣度回升后,短時(shí)間內(nèi)難有大量新增產(chǎn)能釋放,并且外延芯片行業(yè)是規(guī)模效應(yīng)顯著的技術(shù)密集型行業(yè),LED 芯片行業(yè)現(xiàn)有領(lǐng)先企業(yè)不僅具有規(guī)模優(yōu)勢(shì),經(jīng)過(guò)多年經(jīng)營(yíng)磨合,技術(shù)和管理上也具有明顯優(yōu)勢(shì),未來(lái)也很難有新進(jìn)入者進(jìn)入該行業(yè)參與競(jìng)爭(zhēng),因此,未來(lái)幾年內(nèi)我國(guó) LED 外延芯片環(huán)節(jié)整體將保持供需平衡狀態(tài),持續(xù)與 LED 行業(yè)整體同步快速發(fā)展趨勢(shì)。
2 、LED 外延芯片行業(yè)技術(shù)水平及其發(fā)展趨勢(shì)
近年來(lái),LED 產(chǎn)業(yè)鏈中各環(huán)節(jié)的技術(shù)發(fā)展和工藝改進(jìn),推動(dòng)了 LED 成本大幅下降,促進(jìn)了 LED 應(yīng)用全面發(fā)展。LED 外延生長(zhǎng)和芯片制造是 LED 生產(chǎn)過(guò)程中最為核心的環(huán)節(jié),其技術(shù)發(fā)展水平?jīng)Q定了 LED 應(yīng)用的滲透范圍。提高發(fā)光效率(lm/W)和降低單位成本(元/lm)是 LED 外延芯片行業(yè)技術(shù)發(fā)展的主要目標(biāo)。
發(fā)光效率是 LED 產(chǎn)品的標(biāo)志性技術(shù)指標(biāo),發(fā)光效率除了影響 LED 芯片的亮度及能耗外,也影響著 LED 芯片的成本及可靠性。近年來(lái),為了提高發(fā)光效率,研究人員在提升 LED 內(nèi)量子效率及光提取效率方面做了大量的研發(fā)工作,提出了 PSS 襯底外延片、粗化外延表面、金屬鍵合剝離、倒裝芯片結(jié)構(gòu)、垂直芯片結(jié)構(gòu)等技術(shù),使得 LED 發(fā)光效率得到了大幅提升。LED 光源器件的封裝暖白發(fā)光效率已達(dá)到 140lm/W 左右、封裝冷白發(fā)光效率已達(dá)到 170lm/W 左右,國(guó)際主流實(shí)驗(yàn)室水平已達(dá)到 230lm/W。2014 年 3月發(fā)布了發(fā)光效率為 303lm/W 的 LED,實(shí)現(xiàn) LED 技術(shù)發(fā)光效率進(jìn)一步提升。
近幾年,由于我國(guó)政府政策支持及企業(yè)研發(fā)資金密集投入,并伴隨大量我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)和韓國(guó) LED 產(chǎn)業(yè)技術(shù)專家和團(tuán)隊(duì)加入本土企業(yè),國(guó)內(nèi) LED 外延芯片企業(yè)的平均技術(shù)水平有了長(zhǎng)足發(fā)展,已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
降低外延、芯片成本對(duì)推廣 LED 應(yīng)用至關(guān)重要。近年來(lái),研究人員從新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)、新工藝著手,通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新,不斷降低外延、芯片生產(chǎn)成本。白光 LED 封裝的成本將從 2009 年的 25 美元/klm 降至 2020年的 0.7 美元/klm,LED 成本的終極目標(biāo)為 0.5 美元/klm,平均每年的成本下降在 30%以上。
除發(fā)光效率及單位成本外,在 LED 顯示屏、背光源等應(yīng)用領(lǐng)域,LED 芯片的光衰、亮度、色度一致性以及抗靜電能力也是關(guān)系 LED 應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。
從用戶體驗(yàn)及經(jīng)濟(jì)性考慮,降低光衰、保證芯片的均勻性、提高芯片抗靜電能力以及在惡劣環(huán)境下的可靠性也是 LED 外延芯片行業(yè)技術(shù)發(fā)展的重要方向。
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