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第三代半導體概念火了 是炒作還是“風口”?
2020/9/22 16:10:23 來源:中國產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究網(wǎng) 【字體:大 中 小】【收藏本頁】【打印】【關(guān)閉】
核心提示:繼5G、新基建后,第三代半導體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外,更重要是有證券研報指出,第三代半導體有望納入重要規(guī)劃,消息傳出后多只概念股受到炒作。證券繼5G、新基建后,第三代半導體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外,更重要是有證券研報指出,第三代半導體有望納入重要規(guī)劃,消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒,有個人投資者認為通過第三代半導體的發(fā)展就能解決芯片“卡脖子”是誤解,第三代半導體更多應用在器件方面。對這一概念相關(guān)領(lǐng)域的個股投資時,建議對該領(lǐng)域的市場空間與企業(yè)情況充分了解。
據(jù)不完全統(tǒng)計,A股上市公司中,已有36家公司參與到第三代半導體領(lǐng)域。截至9月18日A股收盤,第三代半導體指數(shù)下跌0.15%,當日亞光科技、廣東甘化、楚江新材等領(lǐng)漲,亞光科技漲幅達到5.55%。而9月17日,第三代半導體指數(shù)漲幅為3.01%,當日收盤時,易事特漲停,晶盛電機與乾照光電漲幅分別達到9.45%和8.88%。9月16日,該板塊龍頭之一的露笑科技,當日開盤不久便漲停封板。9月17日,露笑科技股價曾一度去到9.11元。數(shù)據(jù)顯示,該股20日以來累計漲幅達到31.20%。
然而,記者留意到,露笑科技近年來的業(yè)績并不穩(wěn)定。縱觀公司三年來的財報,凈利潤方面,2017年、2019年分別是3.16億元、3461.3萬元;2018年,凈虧損達到9.73億元;2020年中報顯示,當期凈利潤為1.51億元。
國內(nèi)半導體行業(yè)迎機遇
安信證券廣州分公司投資顧問吳嘉瑋對記者表示,科技股本身波動就很大。其實,第三代半導體不是很新的概念或行業(yè),它主要應用于器件而不是我們常見芯片,對于國內(nèi)半導體而言,確實是個機遇。因為在兩個重要的產(chǎn)業(yè)方向,新能源汽車和5G里有很多直接應用的場景,例如電機驅(qū)動系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)這些,5G基站設備中的射頻開關(guān)、功率放大器、濾波器等。“如果個人投資者看好相關(guān)應用領(lǐng)域市場而投資相關(guān)個股,可根據(jù)對應的市場空間和企業(yè)情況具體分析”。
第三代半導體概念被熱炒,與近年的半導體國產(chǎn)替代話題息息相關(guān)。據(jù)了解,中芯國際創(chuàng)始人張汝京曾公開表示,第三代半導體方面,中國有“直道超車”的機會。
方正證券研報認為,第三代半導體國內(nèi)外差距沒有一、二代半導體明顯。國產(chǎn)廠商有希望追上國外廠商,完成國產(chǎn)替代。
華為消費者業(yè)務CEO余承東透露,現(xiàn)在我們從第二代半導體進入第三代半導體時代,希望在一個新的時代實現(xiàn)領(lǐng)先。
政策紅利+大廠入場, 第三代半導體受關(guān)注
早前出臺的《新時代促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》提到,集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的核心,是引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。除國家層面,各地也有不同的集成電路產(chǎn)業(yè)支持政策落地,集成電路產(chǎn)業(yè)進入集中的政策紅利期。
專家表示,近年來,在科技強國指導思想和國際局勢變化的共同作用下,集成電路和軟件產(chǎn)業(yè)成為國家的重點支持領(lǐng)域。科創(chuàng)板的設立和允許未盈利企業(yè)登陸A股更是其一項重要舉措。科創(chuàng)板推出后,許多集成電路、軟件類的優(yōu)質(zhì)企業(yè)相繼上市。上市后,這些企業(yè)不僅擴展了融資途徑,品牌影響力也隨之提升。
業(yè)內(nèi)觀點指出,目前全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)大部分市場份額仍被美國、歐洲、日本等企業(yè)所占據(jù),我國第三代半導體企業(yè)在產(chǎn)能規(guī)模、解決方案、市場渠道以及品牌信任度等與國際企業(yè)有較大差距,正在努力追趕。
什么是第三代半導體?
第一代半導體材料是以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,目前大部分半導體是基于硅基的。第二代半導體材料是以砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)為代表,是4G時代的大部分通信設備的材料。第三代半導體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表,是5G時代的主要材料。第三代半導體的性能優(yōu)勢在于耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導電性能強、工作速度快、工作損耗低。文/廣州日報全媒體記者 文靜
轉(zhuǎn)自:廣州日報
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