2012年，受終端消費產(chǎn)品低迷、閃存產(chǎn)能過剩等因素的影響，全球閃存芯片市場銷售額出現(xiàn)7%以上的負(fù)增長。然而得益于本土消費電子產(chǎn)品市場的穩(wěn)步發(fā)展，中國閃存芯片市場略有下降。

　　國內(nèi)市場波動成長產(chǎn)品結(jié)構(gòu)加劇調(diào)整

　　未來3年，中國閃存市場將重回平穩(wěn)增長的態(tài)勢，市場規(guī)模將持續(xù)擴大。

　　近幾年中國對閃存芯片的需求保持快速增長的態(tài)勢。2012年，在全球金融低迷導(dǎo)致的消費電子產(chǎn)品需求下降、閃存產(chǎn)能過剩等負(fù)面因素的影響下，中國閃存芯片市場規(guī)模略微下降1.0%。形成這種局面的主要原因，除了電子整機需求低于預(yù)期外，2012年閃存產(chǎn)品單價大幅下降也是導(dǎo)致市場規(guī)模下滑的重要原因。

　　從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，中國NANDFlash市場與上年基本持平，市場規(guī)模達(dá)633.7億元。根據(jù)存儲單元的不同，NANDFlash目前可以分為SLC、MLC和TLC三類，產(chǎn)品價格依次遞減。短時間內(nèi)MLC仍會是主流產(chǎn)品，SLC將繼續(xù)在企業(yè)級、服務(wù)器市場領(lǐng)域存活;隨著TLC性能的提升，其將成為未來中低端領(lǐng)域NANDFlash的主要產(chǎn)品。

　　同時，NORFlash市場出現(xiàn)10%以上的萎縮，市場規(guī)模達(dá)74.9億元。由于在大容量存儲方面并無優(yōu)勢，近年來NORFlash產(chǎn)品的容量規(guī)格基本穩(wěn)定。手機和筆記本電腦等傳統(tǒng)高利潤的市場應(yīng)用，逐漸被低容量的NANDFlash所替代。與此同時，新興下游整機市場的帶動效應(yīng)乏力，中國NORFlash市場同全球市場一樣正經(jīng)歷著衰退期。此外，性價比更高的SerialFlash也在逐步替代ParallelFlash，這在一定程度上也拖累了整個市場銷售額的增長。

　　未來三年，在中國消費電子制造快速恢復(fù)和本土市場的穩(wěn)定增長等有利因素的影響下，中國閃存市場將重回平穩(wěn)增長的態(tài)勢，市場規(guī)模將持續(xù)擴大。智能手機、平板電腦、固態(tài)硬盤仍將是帶動閃存市場增長的主要動力，同時隨著閃存技術(shù)的不斷進步，價格會持續(xù)走低，單顆芯片容量會越來越大，使用的領(lǐng)域會逐漸拓展，智能電視、汽車電子以及儀器自動化等領(lǐng)域?qū)⒊蔀殚W存市場新的增長點。預(yù)計到2015年，中國閃存市場有望超過1000億元。