存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)、物聯(lián)網(wǎng)、國家安全等重要領(lǐng)域，是一種重要的、基礎(chǔ)性的產(chǎn)品。2015年國內(nèi)集成電路市場超過 10000 億，其中存儲(chǔ)器的市場總額（包括邏輯芯片中的存儲(chǔ)器）超過 6100 億元，市場空間巨大。

存儲(chǔ)器領(lǐng)域的基本類型

存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，電腦中的內(nèi)存條。非易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在整個(gè)存儲(chǔ)器芯片里面，主要有的三種產(chǎn)品是：DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

2016年第一季度 Nand FLASH 市場結(jié)構(gòu)

DRAM市場上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷，占比達(dá)到 90%以上。從 Nand FLASH 市場來講，2016 年第一季度，三星占了 35.1%，所占市場份額很大。整個(gè)存儲(chǔ)器芯片里面，三星所占市場份額是最大的，目前在市場上主導(dǎo)地位的是閃存（flash memory）。當(dāng)工藝線寬小于 16nm 的時(shí)候，傳統(tǒng)閃存面臨著一定的物理極限。主要的問題：1、可靠性問題。工藝線寬尺寸小于 16nm 時(shí)，厚度逐漸下降，可靠性存在問題，可靠性限制了存儲(chǔ)器單層的厚度。2、當(dāng)然那還有構(gòu)造問題。3、擦寫速度慢。4、有效的擦寫次數(shù)。

傳統(tǒng)閃存繼續(xù)發(fā)展面臨的技術(shù)瓶頸

三星

2008年基于90nm工藝制備512Mb相變存儲(chǔ)器芯片； 2011年基于58nm工藝制備1Gb相變存儲(chǔ)器芯片；2012 年基于 20nm 工藝制備 8Gb 相變存儲(chǔ)器芯片；2014 年發(fā)布相變存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)報(bào)告。

三星在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的布局

美光

2009 年基于 45nm 工藝制備1Gb 相變存儲(chǔ)器芯片； 2011 年發(fā)布第一款基于相變存儲(chǔ)器的 SSD；2013 年基于 45nm 工藝 1Gb 相變存儲(chǔ)器芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；2015 年聯(lián)合 Intel發(fā)布 3D Xpoint。

美光在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的布局

意法半導(dǎo)體

2009 年聯(lián)合恒億共同發(fā)布 90nm 工藝 4Mb 嵌入式相變存儲(chǔ)器芯片；2010 年，發(fā)布了通過材料改性工程 N-GeTe 實(shí)現(xiàn)更好的熱穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)保持；2013 年，發(fā)布了通過材料改性工程 N-Ge-GST實(shí)現(xiàn) SET與高低組保持的性能平衡。

意法半導(dǎo)體在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的布局

IBM

2011 年 IBM發(fā)布了多值的相變存儲(chǔ)器操作算法，然后推出了基于 MIEC 材料選通的多層crosspoint存儲(chǔ)器。 2014年IBM發(fā)布了6位多值存儲(chǔ)電阻漂移的算法解決辦法， 2016年發(fā)布多值相變存儲(chǔ)器，進(jìn)入 90nm 工藝。

IBM在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的布局

國際其他產(chǎn)家，包括英特爾、臺(tái)積電等都有在其中做過相關(guān)工作。

國際其他廠商在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的布局