一、亞太地區(qū)成為半導(dǎo)體消費(fèi)中心，中國(guó)需求尤盛

　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額穩(wěn)定增長(zhǎng)，亞太地區(qū)逐漸成為消費(fèi)中心。全球半導(dǎo)體行業(yè)則保持著較為穩(wěn)定的增長(zhǎng)速度，根據(jù)數(shù)據(jù)，2016年全球?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體銷(xiāo)售額 3389.31 億美元，同比增長(zhǎng) 1.12%，2003 年至 2016 年的復(fù)合增速為 5.21%，2020 年有望達(dá)到 4000 億美元的市場(chǎng)規(guī)模。亞太地區(qū)的半導(dǎo)體銷(xiāo)售額增速更快，2016 年亞太地區(qū)的銷(xiāo)售額為 2083.95 億美元，同比增長(zhǎng) 3.64%，2003 年至 2016 年的復(fù)合增速為 8.94%，占全球比重從 2003 年的 37.76%上升至2016 年的 61.49%，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)品的消費(fèi)中心。

　　大陸半導(dǎo)體行業(yè)供需嚴(yán)重失衡。從供給端來(lái)看，2016 年中國(guó)地區(qū)晶圓制造產(chǎn)能僅占全球 10.8%，而消費(fèi)市場(chǎng)占全球 33%，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)供需關(guān)系嚴(yán)重失衡。

　　供需缺口擴(kuò)大，國(guó)內(nèi)集成電路嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。大陸智能手機(jī)品牌全球市場(chǎng)份額持續(xù)提升使得中國(guó)集成電路需求旺盛，2014 年以來(lái)國(guó)內(nèi)集成電路銷(xiāo)售額一直保持著15%以上的增速，2016 年累計(jì)銷(xiāo)售額達(dá)到 4335.50 億元。但國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)一直供不應(yīng)求，根據(jù)預(yù)測(cè)，2019 年供需缺口可以達(dá)到 880 億美元。國(guó)內(nèi)集成電路長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口，貿(mào)易逆差從2007年的1041.86億美元上升至2016年的1660.05億美元，已經(jīng)連續(xù) 9 年擴(kuò)大，其中超一半的進(jìn)口來(lái)自臺(tái)灣地區(qū)和韓國(guó)，占比分別為 32%和 23%。

中國(guó)集成電路供需缺口擴(kuò)大

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中國(guó)集成電路市場(chǎng)十分依賴(lài)進(jìn)口

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　　三、設(shè)備是晶圓生產(chǎn)的根基，占產(chǎn)業(yè)資本支出比例超60%

　　設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資核心，“一代設(shè)備、一代產(chǎn)品”，其先進(jìn)性是保證產(chǎn)品不斷升級(jí)的基礎(chǔ)。設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資核心，“一代設(shè)備、一代產(chǎn)品”，其先進(jìn)性是保證產(chǎn)品不斷升級(jí)的基礎(chǔ)。集成電路技術(shù)的發(fā)展伴隨著芯片線寬尺寸的不斷減小，線寬由 10微米-3 微米（1959 年-1975 年）到 0.6 微米-0.065 微米（1990 年-2005 年）到 65納米-45 納米（2005 年-2010 年）到 45 納米-28 納米（2011 年-2015 年）到 20 納米-10 納米，還在向更小的方向發(fā)展，目前國(guó)際上 14 納米技術(shù)已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，國(guó)內(nèi) 28 納米技術(shù)已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段。相應(yīng)地，制造工序也逐漸復(fù)雜，65nm 需要約 600 余道工序，45nm 需要約 800 余道工序，28nm 和 14nm 則分別需要 1300 和1700 余道工序，帶來(lái)更多的設(shè)備需求。在芯片線寬不斷縮小的同時(shí)，硅片尺寸不斷擴(kuò)大。主流產(chǎn)品硅片尺寸已經(jīng)從 4 英寸、6 英寸、8 英寸發(fā)展到現(xiàn)階段的 12 英寸，未來(lái)還將繼續(xù)向 18 英寸過(guò)渡。

IC制造核心工藝圖

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　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出維持高位平穩(wěn)。集成電路生產(chǎn)線的投資規(guī)模巨大、且維持產(chǎn)線運(yùn)作的費(fèi)用很高，為了不斷追蹤行業(yè)前沿，還需要持續(xù)的資金投入維持工藝水平，這體現(xiàn)了集成電路行業(yè)資金密集型的特點(diǎn)。世界主流的半導(dǎo)體廠歷年的資本支出規(guī)模均在百億美元級(jí)別附近，如臺(tái)積電對(duì)于 10nm 級(jí)的投資金額約達(dá)臺(tái)幣 7000 億元，對(duì) 3nm 和 5nm 等級(jí)的投資金額也達(dá)到 5000 億臺(tái)幣，后續(xù)尚在增加中。最近幾年全球半導(dǎo)體行業(yè)的資本支出基本在六七百億美元的級(jí)別，并處于穩(wěn)定增長(zhǎng)中。

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出及增速 （百萬(wàn)美元）

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　　設(shè)備投資占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出的 60%。 以上，其中晶圓制造設(shè)備的比例最高。制造、封裝、測(cè)試設(shè)備的價(jià)值量大，直接影響著半導(dǎo)體生產(chǎn)的技術(shù)水平與良率，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出中占據(jù)了約 60%-70%的比例，其中晶圓制造過(guò)程因工藝復(fù)雜，工序多樣，相關(guān)設(shè)備的價(jià)值量占比最高，達(dá)到了總資本支出的 50%左右。

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出分類(lèi)（百萬(wàn)美元）

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