這種顛覆性的太陽能利用方法被稱為“光子增強型熱離子輻射”，簡稱為PETE。斯坦福大學材料科學和工程系副教授尼克·梅洛什領導的研究小組通過在一片半導體材料上噴涂一薄層金屬銫，使材料具有了利用光和熱來產生電力的能力。研究證實，這一新工藝將不再基于標準的光伏發電機制，能在很高的溫度條件下產生類似于光伏發電的反應，而且溫度越高，工作效率越高，而傳統的光伏發電在溫度升高時效率會逐漸降低。

　　大多數硅基太陽能電池在溫度達到100攝氏度時已呈現出惰性，但PETE設備在超過200攝氏度的條件下才會達到峰值效率，因而最適于應用在拋物面太陽能聚光器中。可達到800攝氏度高溫的拋物面聚光器通常作為太陽能發電廠設計的一部分。

　　據梅洛什計算，PETE裝置在太陽能聚光器中效率可以達到50%或者更高的，再加上熱能轉化的回收循環，最后總的太陽能利用效率可達到55%甚至60%，這幾乎是現有太陽能系統效率的3倍。

　　“這確實是一次概念上的突破，一種全新的能量轉化方法，而非僅僅是新材料或者是細微的改動調整，”梅洛什表示：“它在如何收獲能源的方式上確實有著根本性的區別。”與此同時，這套設備的原材料能夠容易獲取，這意味著它的生產成本具備競爭力。梅洛什已將這一研究成果發表在了最新一期的《自然材料》上。

　　研究者們很重視這套系統的兼容性。起初研究人員采用半導體材料氮化鎵進行試驗，卻發現它的發電效率遠低于計算出的數值，不過這個屬于預測之中，使用氮化鎵的原因在于它是一種有能力在高溫下堅持工作的材料，并且依然能發生PETE過程。之后研究者們發現，采用砷化鎵這種廣泛運用在普通家用電器中的半導體材料，PETE的實際效率足以達到研究者估算的50%或60%。目前研究人員正在積極尋找其他的有效材料。

　　PETE系統有一個明顯的優勢，由于是在太陽能聚光器中使用，因此實際設備需要的半導體材料非常小。“對每一個設備，我們計算出類似一個6英寸的半導體材料圓盤就足夠了。”Melosh解釋說：“所以同大型的硅制太陽能板相比，材料的費用對我們來說根本不是一個問題。”高昂的材料成本可以說是限制目前太陽能工業發展的一個瓶頸，PETE則能夠大幅降低太陽能發電成本。

　　研究人員表示，PETE工藝大大增強了太陽能發電的可行性，即使達不到最佳效率，只要能將轉換效率從20%提高到30%，其整體轉換效率也將在原有基礎上提高50%，這將大大促進太陽能產業對石油業的競爭能力。據悉，這項研究得到了斯坦福大學的全球氣候和能源項目、斯坦福大學材料能源系統學會、美國能源部以及美國國防部高級研究計劃局的大力支持。