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2016年我國(guó)IGBT功率模塊發(fā)展社會(huì)背景分析
2016/9/30 10:28:12 來(lái)源:中國(guó)產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究網(wǎng) 【字體:大 中 小】【收藏本頁(yè)】【打印】【關(guān)閉】
核心提示:(一)中國(guó)家電企業(yè)的發(fā)展的需要國(guó)內(nèi)企業(yè)在IGBT芯片設(shè)計(jì)、制造以及封裝各環(huán)節(jié)的技術(shù)和積累都比較少,短期內(nèi)趕上國(guó)際水平不太現(xiàn)實(shí),所以,提升進(jìn)口替代產(chǎn)品的能力就成了國(guó)內(nèi)企業(yè)首選方向,以價(jià)格優(yōu)勢(shì)和本土優(yōu)勢(shì)搶占市場(chǎng)份額,據(jù)了解,IGBT國(guó)產(chǎn)化器(一)中國(guó)家電企業(yè)的發(fā)展的需要
國(guó)內(nèi)企業(yè)在IGBT芯片設(shè)計(jì)、制造以及封裝各環(huán)節(jié)的技術(shù)和積累都比較少,短期內(nèi)趕上國(guó)際水平不太現(xiàn)實(shí),所以,提升進(jìn)口替代產(chǎn)品的能力就成了國(guó)內(nèi)企業(yè)首選方向,以價(jià)格優(yōu)勢(shì)和本土優(yōu)勢(shì)搶占市場(chǎng)份額,據(jù)了解,IGBT國(guó)產(chǎn)化器件相比國(guó)外企業(yè)成本節(jié)約15~20%,即使售價(jià)減少40%,國(guó)內(nèi)企業(yè)依然擁有30%以上的毛利率。另外,國(guó)外企業(yè)產(chǎn)品定位大部分是工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域大功率IGBT,而我國(guó)是世界上最主要的家電生產(chǎn)和消費(fèi)國(guó),加上小功率IGBT生產(chǎn)門檻較大功率低,所以,國(guó)內(nèi)企業(yè)進(jìn)入IGBT行業(yè)家電領(lǐng)域是最適合的切入點(diǎn)。
IGBT國(guó)產(chǎn)化對(duì)中國(guó)家電企業(yè)的推動(dòng)作用

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(二)中國(guó)智能電網(wǎng)領(lǐng)域?qū)⒃诩夹g(shù)與市場(chǎng)兩個(gè)層面推動(dòng)本土企業(yè)實(shí)現(xiàn) IGBT 國(guó)產(chǎn)化。
從兩個(gè)層面來(lái)看待本土 IGBT 市場(chǎng)需求高速增長(zhǎng)對(duì)中國(guó)企業(yè)實(shí)現(xiàn)IGBT 國(guó)產(chǎn)化的重要作用。
1、本土 IGBT 市場(chǎng)需求的高增長(zhǎng)性與高容量性顯然為本土企業(yè)實(shí)現(xiàn)IGBT 國(guó)產(chǎn)化提供良好的市場(chǎng)基礎(chǔ),這符合成本優(yōu)勢(shì)、制造鏈等本土化優(yōu)勢(shì)。
2、IGBT 國(guó)產(chǎn)化需求來(lái)自于需求方的內(nèi)在動(dòng)力,是自發(fā)的,迫切的與全面的。這種源動(dòng)力來(lái)自于中國(guó)智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的完善,家電節(jié)能市場(chǎng)的本土企業(yè)推動(dòng)。
構(gòu)成本土 IGBT 市場(chǎng)需求主體主要為智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)、電機(jī)節(jié)能與家電節(jié)能這四大領(lǐng)域。中國(guó)在智能電網(wǎng)與高鐵建設(shè)領(lǐng)域擁有國(guó)際領(lǐng)先技術(shù),這些領(lǐng)域?qū)?IGBT國(guó)產(chǎn)化需求迫切,而這種國(guó)產(chǎn)化突破更包含了 IGBT 技術(shù)的突破(該領(lǐng)域 IGBT 技術(shù)壁壘最高)。家電節(jié)能以空調(diào)、冰箱與洗衣機(jī)為主,這些領(lǐng)域中國(guó)家電企業(yè)已經(jīng)具備一定的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力,更為 IGBT 國(guó)產(chǎn)化掃清了認(rèn)知障礙。因此,龐大的市場(chǎng)基礎(chǔ)與需求方對(duì) IGBT 技術(shù)國(guó)產(chǎn)化的迫切需求共同推動(dòng)中國(guó)本土企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新,加速我國(guó) IGBT 國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程:
我們接下來(lái)具體論述智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)與家電節(jié)能領(lǐng)域?qū)χ袊?guó) IGBT 產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化的作用。
1、 智能電網(wǎng)建設(shè)帶來(lái)市場(chǎng)與技術(shù)的突破。
IGBT 在智能電網(wǎng)的相關(guān)設(shè)備中起到至關(guān)重要的作用。顯而易見(jiàn),在智能電網(wǎng)建設(shè)的過(guò)程中,IGBT 成為整個(gè)領(lǐng)域最受益的產(chǎn)品。IGBT 是交流系統(tǒng)與直流系統(tǒng)的補(bǔ)償裝置中核心器件。而在整流,直流傳輸與換流器發(fā)揮著重要作用。
中國(guó)政府和兩大電網(wǎng)公司未來(lái)在智能電網(wǎng)方面的總投資將不低于 2000億,2015 年之前將完成主要框架建設(shè)。注意到智能電網(wǎng)所使用的 IGBT 屬于具有較強(qiáng)技術(shù)壁壘的產(chǎn)品,是IGBT 技術(shù)前沿,這個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)突破勢(shì)必帶動(dòng)中國(guó) IGBT 技術(shù)的飛速發(fā)展。
智能電網(wǎng)投資結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)(總投資將超過(guò)2000億)

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中國(guó)智能電網(wǎng)的建設(shè)已進(jìn)入第二階段的尾聲,在大力建設(shè)特高壓、數(shù)字化變電站的同時(shí),智能調(diào)度將逐漸引入,用電信息采集和智能電表的需求也將有較快增長(zhǎng)。
2009-2020年國(guó)家電網(wǎng)總投資3.45萬(wàn)億元,其中智能化投資3841億元,占電網(wǎng)總投資的11.1%。第一階段2009-2010年的電網(wǎng)總投資為5510億元,智能化投資為341億元,占電網(wǎng)總投資的6.2%;第二階段電網(wǎng)總投資為15000億元,智能化投資為1750億元,占總投資的11.7%;第三階段電網(wǎng)總投資為14000億元,智能化投資為1750億元,占總投資的12.5%。
中國(guó)“智能電網(wǎng)”三階段發(fā)展規(guī)劃時(shí)間表
第一階段試點(diǎn)階段(2009~2010年)重點(diǎn)開(kāi)展堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)發(fā)展規(guī)劃工作,制定技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和管理規(guī)范,開(kāi)展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)和設(shè)備研制,開(kāi)展各環(huán)節(jié)的試點(diǎn)工作。第二階段全面建設(shè)階段(2011~2015年)加快特高壓電網(wǎng)和城鄉(xiāng)配電網(wǎng)建設(shè),初步形成智能電網(wǎng)運(yùn)行控制和互動(dòng)服務(wù)體系,關(guān)鍵技術(shù)和裝備實(shí)現(xiàn)重大突破和廣泛應(yīng)用。第三階段引領(lǐng)提升階段(2016~2020年):基本建成堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng),使電網(wǎng)的資源配置能力、安全水平、運(yùn)行效率,以及電網(wǎng)與電源、用戶之間的互動(dòng)性顯著提高。資料來(lái)源:國(guó)家電網(wǎng)
特高壓電網(wǎng),指1000千伏的交流或±800千伏的直流電網(wǎng)。輸電電壓一般分高壓、超高壓和特高壓。國(guó)際上,高壓(HV)通常指35-220kV的電壓;超高壓(EHV)通常指330kV及以上、1000kV以下的電壓;特高壓(UHV)指1000kV及以上的電壓。高壓直流(HVDC)通常指的是1 600kV及以下的直流輸電電壓,±800 kV以上的電壓稱為特高壓直流輸電(UHVDC)。
而且,在2015年 “三華”特高壓電網(wǎng)形成“三縱三橫一環(huán)網(wǎng)”,屆時(shí),錫盟、蒙西、張北、陜北能源基地通過(guò)3個(gè)縱向特高壓交流通道向“三華”送電,北部煤電、西南水電通過(guò)3個(gè)橫向特高壓交流通道向華北、華中和長(zhǎng)三角特高壓環(huán)網(wǎng)送電。此外,“十二五”期間,配合西南水電、西北華北煤電和風(fēng)電基地開(kāi)發(fā),將建設(shè)錦屏-江蘇、溪洛渡-浙江、哈密-河南等11回特高壓直流輸電工程。
2015年中國(guó)特高壓電網(wǎng)規(guī)劃圖

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(三)節(jié)能大環(huán)境是 IGBT 快速成長(zhǎng)的溫室
功率器件市場(chǎng)的發(fā)展順應(yīng)節(jié)能減排潮流節(jié)能、提高能效是未來(lái)全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展的主流趨勢(shì)。從封建社會(huì)的作坊式生產(chǎn)到近代的蒸氣革命,再到現(xiàn)代的電力革命與信息革命,人類沉浸在生產(chǎn)效率急速提升帶來(lái)的享受,卻忽略了為此帶來(lái)的對(duì)地球負(fù)擔(dān)過(guò)重的影響,“可持續(xù)發(fā)展”也由此提出。
IGBT 在節(jié)能、提高能效方面發(fā)揮重要作用。 IGBT 器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種 MOSFET 與雙極晶體管復(fù)合的器件。它既有功率 MOSFET 易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大,損耗小的顯著優(yōu)點(diǎn)。在節(jié)能市場(chǎng)領(lǐng)域獲得較為廣泛的應(yīng)用。從消費(fèi)電子,到工業(yè)控制都能見(jiàn)到 IGBT 身影。在眾多應(yīng)用領(lǐng)域的帶動(dòng)下,IGBT 已經(jīng)成為功率器件家族中的新興力量。
IGBT在節(jié)能、提高能效方面的主要指標(biāo)

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(四)中國(guó) IGBT 產(chǎn)業(yè)已初具規(guī)模,技術(shù)突破也正在積極醞釀
目前中國(guó) IGBT 行業(yè)中高端技術(shù)已有突破,初步形成從芯片設(shè)計(jì)到芯片封裝的產(chǎn)業(yè)鏈,較強(qiáng)的成本優(yōu)勢(shì)將是中國(guó)本土企業(yè)與國(guó)外公司競(jìng)爭(zhēng)的有力手段。伴隨著未來(lái)幾年 IGBT 市場(chǎng)的高速增長(zhǎng),國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程的啟動(dòng)將會(huì)使產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋的公司受惠。
中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)企業(yè)分布

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IGBT 的國(guó)產(chǎn)化一方面可以加速中國(guó)功率器件的更新?lián)Q代速度,另一方面由于國(guó)產(chǎn)化帶來(lái)上游器件成本的降低引起下游應(yīng)用市場(chǎng)需求的增大,而下游需求的增長(zhǎng)又逐級(jí)放大地向上反饋回產(chǎn)業(yè)鏈各級(jí),上游的器件生產(chǎn)與下游的節(jié)能市場(chǎng)互相推動(dòng)。
中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)企業(yè)技術(shù)狀況
公司業(yè)務(wù)類型進(jìn)度科達(dá)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)研發(fā)1200V 75A/100A 大功率IGBT 芯片、400V 專用IGBT 芯片;1200V 試流片。完成功率半導(dǎo)體芯片后道加工生產(chǎn)車間的建設(shè)。具備1200V/600V 20A IGBT 小規(guī)模生產(chǎn)的技術(shù)條件。1200V 20A 電磁爐用IGBT 量產(chǎn)版流片6 月份開(kāi)始。華微電子芯片制造IGBT已完成計(jì)算機(jī)仿真,進(jìn)入單步工藝開(kāi)發(fā)階段。中環(huán)股份芯片制造募集資金項(xiàng)目開(kāi)始研發(fā)IGBT無(wú)錫鳳凰半導(dǎo)體芯片制造NPT 型IGBT 通過(guò)鑒定比亞迪芯片制造IGBT 芯片進(jìn)入批量測(cè)試階段上海貝嶺芯片制造IGBT 進(jìn)入工程流片南車時(shí)代電氣芯片制造、模塊收購(gòu)加拿大Dynex75% 股權(quán),Dynex 有IGBT 技術(shù),應(yīng)用于車輛牽引傳動(dòng)領(lǐng)域,1200V、1700V、3300V、4500V、6500V 模塊。公司投資近8000 萬(wàn)元建成了IGBT 模塊封裝和測(cè)試生產(chǎn)線,形成年產(chǎn)6 萬(wàn)只模塊的生產(chǎn)能力。西安愛(ài)帕克模塊IGBT 半橋、高端開(kāi)關(guān)盒低端開(kāi)關(guān)型模塊600V 75~400A,1200V 50~300AIGBT 單開(kāi)關(guān)型模塊600V 400~800A,1200V 200~400AIGBT H 橋型模塊600V 75~400A,1200V 50~200A威海星佳電子模塊1200V 50~300A 模塊南京銀茂微電子模塊600V/1200V 半橋、斬波、H 橋、三相全橋、全橋+斬波、PIM、IPM、一單元模塊嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體模塊600V 單開(kāi)關(guān)模塊、半橋模塊、三相橋模塊、PIM 模塊1200V 單開(kāi)關(guān)模塊、半橋模塊、全橋模塊、三相橋模塊、三組單相橋、PIM 模塊、斬波器模塊1700V 單開(kāi)關(guān)模塊、半橋模塊、三相橋模塊、三組單相橋、斬波器模塊江蘇宏微科技模塊600V 75~200A 模塊1200V 50~300A 模塊資料來(lái)源:公開(kāi)資料整理
中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)技術(shù)帶來(lái)的高附加值

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