目前全球單晶格局若不考慮中國(guó)則單晶處于下降趨勢(shì)，主要由于海外單晶組件價(jià)格長(zhǎng)期高于多晶組件 0.06-0.1 美元/瓦，在性?xún)r(jià)比區(qū)間范圍之外，隨著 BOS 成本不斷下降，海外單晶組件滲透率在不斷下降。

　　但是由于 2016 年以來(lái)單晶成本快速下降，單晶的成本優(yōu)勢(shì)逐步凸顯，未來(lái)單多晶組件價(jià)差將會(huì)縮小至 0.01-0.02 美元/瓦，性?xún)r(jià)比逐步凸顯，未來(lái)占比必然逐漸上升；

　　1、多晶金剛線改造無(wú)法逆轉(zhuǎn)單晶滲透率提升的趨勢(shì)

　　單、多晶硅片主要差異在于長(zhǎng)晶與鑄錠環(huán)節(jié)，拉晶成本一直以來(lái)明顯高于鑄錠，所以單晶成本優(yōu)勢(shì)不明顯，隨著拉晶速度和工藝的不斷成熟，拉晶的成本劣勢(shì)已經(jīng)逐步消失。而在目前的工藝水平下，單晶電池的轉(zhuǎn)換效率比多晶電池轉(zhuǎn)換效率高 1.5%，價(jià)格多晶轉(zhuǎn)化效率為 20%，則單晶電池轉(zhuǎn)換效率比多晶電池高 7.5%，按照目前多晶組件34 美分/瓦計(jì)算，7.5%的效率提升價(jià)值2.55 美分/瓦，單多晶之間除了拉晶有一定差異，則后端制造成本完全一致。

　　目前以隆基為代表單晶企業(yè)，將拉晶成本下降至 40-50 元/kg，即每瓦僅 1.9-2.3 美分/瓦，多晶即使完成金剛線和黑硅改造，成本優(yōu)勢(shì)依舊不明顯。

　　單晶硅片非硅成本接近多晶硅片：2016年隆基非硅成本下降速度大大高于保利協(xié)鑫，成本約為 0.065 美元/W，與保利協(xié)鑫多晶硅片 0.065 美元/W非硅成本相同。

多晶硅片與單晶硅片成本與效率提升差異測(cè)算

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　　2、海外單、多晶組件價(jià)差長(zhǎng)期較大，單晶滲透率有待提升

　　海外單晶組件滲透率逐步下降：排除中國(guó)的因素，近年來(lái)海外市場(chǎng)單晶占比迅速下降至2016 年的 12%，遠(yuǎn)低于國(guó)內(nèi) 27%的占比；日本季度裝機(jī)單多晶格局也可看出單晶占比的下降趨勢(shì)。

　　單、多晶組件價(jià)差較大，海外單晶性?xún)r(jià)比不明顯：海外市場(chǎng)的單多晶組件價(jià)差保持在6-10 美分/W 左右波動(dòng)保持動(dòng)態(tài)平衡，隨著 BOS（非組件成本）的下降，單晶組件性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)不明顯。

　　國(guó)內(nèi)價(jià)差縮小，推動(dòng)單晶滲透率不斷提升：國(guó)內(nèi)裝機(jī) 2014 年開(kāi)始應(yīng)用單晶組件，2015年與 2016 年由于隆基股份單晶硅片成本迅速下降，單晶組件價(jià)格僅高于多晶組件 0.1元/瓦，所以單晶組件在國(guó)內(nèi)占比迅速由 5%上升至 27%。

　　單晶性?xún)r(jià)比未來(lái)將持續(xù)提升且高于單晶：?jiǎn)尉Ч杵�在高效電池和薄片化領(lǐng)域有明顯的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。國(guó)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)單晶硅片厚度年內(nèi)可從190-200μm的水平逐步下降到 180μm，未來(lái)有望降至 150μm。而多晶硅片的易碎，不易彎折，在薄片化的應(yīng)用上有先天的劣勢(shì)。

　　在高效電池的應(yīng)用上，目前所有已知的高效電池技術(shù)均已經(jīng)成功應(yīng)用于單晶硅片，高效記錄保持者 IBC 和 HIT 技術(shù)均是采用單晶硅片，而多晶硅片由于晶體的不規(guī)則，所以導(dǎo)致了應(yīng)用上確實(shí)存在難度。

海外單多晶占比變化（不考慮中國(guó)）

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日本市場(chǎng)單多晶格局

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海外單、多晶組件價(jià)格及其價(jià)差（單位： $/W）

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國(guó)內(nèi)單多晶組件價(jià)格及其價(jià)差（單位： $/W ）

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單晶電池效率整體高于多晶電池

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最高效的電池技術(shù)均成功應(yīng)用于單晶

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