2015年，我國(guó)金屬硅各品種平均價(jià)格下滑幅度均在10-15%之間，而且全年的最低價(jià)格在年底。下游產(chǎn)品價(jià)格快速下滑、全年供應(yīng)持續(xù)增加和海外市場(chǎng)需求減少是導(dǎo)致我國(guó)金屬硅市場(chǎng)供應(yīng)過(guò)剩、價(jià)格進(jìn)一步走低的主要原因。

多晶硅價(jià)格走勢(shì)圖

資料來(lái)源：公開(kāi)資料整理

　　過(guò)去幾年因?yàn)樾枨笃Ｈ鹾图夹g(shù)革新，多晶硅價(jià)格從 2011 年 50 美元/公斤一路下跌至最新的13 美元/公斤。但我們判斷國(guó)內(nèi)多晶硅的價(jià)格將逐步企穩(wěn)并有望企穩(wěn)并微升，主要 依據(jù)有：

　　1）多晶硅價(jià)格目前處于一個(gè)弱平衡周期，絕對(duì)的供過(guò)于求階段已經(jīng)過(guò)去，需 求端的改善對(duì)價(jià)格提振的邊際作用較大，而光伏下游因?yàn)樯暇W(wǎng)電價(jià)下調(diào)政策將在上半 年迎來(lái)?yè)屟b行情，進(jìn)而刺激對(duì)于多晶硅的需求；

　　2）人民幣貶值造成進(jìn)口多晶硅的成本增加，進(jìn)而使國(guó)內(nèi)多晶硅生產(chǎn)商間接受益。

硅片價(jià)格走勢(shì)圖

資料來(lái)源：公開(kāi)資料整理

　　半導(dǎo)體硅材料(semiconductor silicon)是最主要的元素半導(dǎo)體材料，包括硅多晶、硅單晶、硅片、硅外延片、非晶硅薄膜等，可直接或間接用于制備半導(dǎo)體器件。

　　（一）單晶硅

　　單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分。硅的單晶體，具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999％，甚至達(dá)到99.9999999％以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。

　　熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來(lái)便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成p型硅半導(dǎo)體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度，形成n型硅半導(dǎo)體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。

　　單晶硅的主要用途是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開(kāi)關(guān)器件等。

　　（二）多晶硅

　　多晶硅有著灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點(diǎn)1410℃。沸點(diǎn)2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時(shí)易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時(shí)顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。

　　多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。

　　多晶硅在電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。

　�。ㄈ�）非晶硅

　　非晶硅是一種直接能帶半導(dǎo)體，它的結(jié)構(gòu)內(nèi)部有許多所謂的“懸鍵”，也就是沒(méi)有和周圍的硅原子成鍵的電子，這些電子在電場(chǎng)作用下就可以產(chǎn)生電流，并不需要聲子的幫助，因而非晶硅可以做得很薄，還有制作成本低的優(yōu)點(diǎn)。

　　制備方法：由非晶態(tài)合金的制備知道，要獲得非晶態(tài)，需要有高的冷卻速率，而對(duì)冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態(tài)快速淬火的方法目前還無(wú)法得到非晶態(tài)。近年來(lái)，發(fā)展了許多種氣相淀積非晶態(tài)硅膜的技術(shù)，其中包括真空蒸發(fā)、輝光放電、濺射及化學(xué)氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷 (SiH4)、二硅烷(Si2H6)、四氟化硅(SiF4)等，純度要求很高。

　　非晶硅可以制成非晶硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用于液晶顯示器件、集成式Si-倒相器、集成式圖象傳感器、以及雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器等器件中作為非線性器件；利用非晶硅膜可以制成各種光敏、位敏、力敏、熱敏等傳感器；利用非晶硅膜制做靜電復(fù)印感光膜，不僅復(fù)印速率會(huì)大大提高，而且圖象清晰，使用壽命長(zhǎng)等。